發(fā)貨地點(diǎn):上海市浦東新區(qū)
發(fā)布時(shí)間:2025-07-21
Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 m直徑的開環(huán)諧振器和2 m叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe系統(tǒng)),用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。工業(yè)4.0協(xié)同創(chuàng)新:與弗勞恩霍夫ILT合作優(yōu)化激光能量分布,提升制造精度。北京光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米
Polos-BESM支持GDS文件直接導(dǎo)入和多層曝光疊加,簡(jiǎn)化射頻器件(如IDC電容器)制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用類似設(shè)備成功制備高頻電路元件,驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復(fù)性(0.1 m)確保科研成果的可轉(zhuǎn)化性,助力國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術(shù)封鎖56。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。北京光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米低成本科研普惠:桌面化設(shè)計(jì)減少投入,無(wú)掩膜工藝降低中小型實(shí)驗(yàn)室門檻。
SPS POLOS 以緊湊的桌面設(shè)計(jì)降低實(shí)驗(yàn)室設(shè)備投入,光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速掃描(單次寫入400 m區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 m間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗(yàn)證。其無(wú)掩模特性進(jìn)一步減少材料浪費(fèi),為中小型實(shí)驗(yàn)室提供經(jīng)濟(jì)解決方案62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。
某生物力學(xué)實(shí)驗(yàn)室通過(guò) Polos 光刻機(jī),在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時(shí)制備金屬電極與硅基壓阻元件,傳感器的力分辨率達(dá) 5pN,位移檢測(cè)精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測(cè)中,該集成傳感器實(shí)現(xiàn)了力 - 電信號(hào)的同步采集,發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動(dòng)作電位時(shí)程的相關(guān)性達(dá) 0.92,為心臟電機(jī)械耦合機(jī)制研究提供了全新工具,相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。雙光子聚合擴(kuò)展:結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印,拓展微型機(jī)器人制造。
無(wú)掩模激光光刻技術(shù)為研究實(shí)驗(yàn)室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級(jí)特征,并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計(jì)。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無(wú)需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計(jì)和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無(wú)掩模光刻系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元,預(yù)計(jì)到 2028 年將增長(zhǎng)至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.90%。由于對(duì) 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長(zhǎng),預(yù)計(jì)未來(lái)幾十年光刻市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。柔性電子:曲面 OLED 驅(qū)動(dòng)電路漏電降 70%,彎曲半徑達(dá) 1mm,適配可穿戴設(shè)備。上海光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模
無(wú)掩模激光直寫技術(shù):無(wú)需物理掩膜,軟件直接輸入任意圖案,降低成本與時(shí)間。北京光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米
德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計(jì),在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對(duì)于研究實(shí)驗(yàn)室,尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來(lái)說(shuō),設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn),使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。 盡管體積小巧,但它的性能卻毫不遜色。無(wú)掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作,低成本的優(yōu)勢(shì)降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中,科研人員使用 Polos 光刻機(jī),在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開展研究,成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā),Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量,為科研創(chuàng)新提供有力支持。北京光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米
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