韶關音響至盛ACM8623

芯片支持4.5V至15.5V寬電壓輸入，數(shù)字電源為3.3V**供電。采用Class-H動態(tài)升壓技術，結合ACM5618 DC-DC升壓芯片，可將單節(jié)鋰電池升壓至12V供電，實現(xiàn)立體聲2×15W輸出。內置電源電壓監(jiān)測電路，當輸入電壓低于4.5V時自動降低輸出功率，避免電池過放。待機功耗低于10mW，符合能效6級標準。ACM8623內置多重保護機制：過流保護（OCP）通過采樣電阻實時監(jiān)測輸出電流，超過閾值時關閉功率級；過溫保護（OTP）在芯片溫度達150℃時啟動，溫度降至130℃后自動恢復；短路保護（SCP）檢測輸出端短路時立即關斷輸出。欠壓鎖定（UVLO）確保供電電壓低于4.2V時停止工作，防止芯片損壞。在溫度控制器應用中，至盛 ACM 芯片準確把控溫度變化。韶關音響至盛ACM8623

語音助手音箱需要具備良好的語音識別和音頻播放能力，ACM8629的低底噪和清晰的音頻輸出可以確保語音指令的準確識別和音樂的清晰播放，提升用戶的使用體驗。在筆記本電腦中，ACM8629可以用于音頻輸出，提供高質量的音頻體驗。其數(shù)字接口和內置的DSP功能可以方便地與筆記本電腦的主板進行連接和集成，實現(xiàn)音頻信號的高效處理和播放。對于臺式機用戶來說，ACM8629可以提供更強大的音頻輸出能力，滿足用戶對***音樂、游戲音效和多媒體播放的需求。其豐富的音效算法可以為用戶帶來更加逼真的音頻體驗。上海至盛ACM8625PACM8623高度集成了多種音效算法和模塊，如數(shù)字、模擬增益調節(jié)，信號混合模塊，EQ（均衡器）和DRC等.

ACM8815采用臺積電6英寸GaN-on-Si工藝，在硅襯底上外延生長2μm厚GaN層，通過離子注入形成P型和N型摻雜區(qū)。關鍵工藝步驟包括：MOSFET結構：采用垂直雙擴散結構（VDMOS），源極和漏極分別位于芯片兩側，溝道長度*0.3μm，實現(xiàn)低導通電阻（11mΩ@10V柵壓）。柵極氧化層：使用ALD（原子層沉積）技術生長5nm厚Al2O3柵氧層，確保柵極漏電流<1nA，提高器件可靠性。金屬互連：采用銅互連技術，線寬/線距達0.8μm/0.8μm，寄生電阻<5mΩ，寄生電感<1nH，減少信號延遲。封裝方面，ACM8815采用QFN-40封裝（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散熱焊盤，通過金線鍵合實現(xiàn)芯片與引腳的電氣連接。封裝熱阻（RθJC）*2℃/W，滿足無散熱器設計要求。

    新興技術的蓬勃發(fā)展為至盛 ACM 芯片帶來了諸多發(fā)展機遇。與 5G 技術融合，借助 5G 的高速率、低延遲特性，能夠實現(xiàn)更流暢、更高質量的音頻傳輸，為用戶帶來前所未有的音樂體驗，如支持超高清音頻流傳輸，讓用戶感受音樂的每一個細微變化。與人工智能技術結合，進一步優(yōu)化智能語音交互功能，使芯片能夠更好地理解用戶意圖，提供更加個性化的音頻服務，如根據(jù)用戶的音樂喜好智能推薦歌曲。在物聯(lián)網(wǎng)時代，至盛 ACM 芯片作為智能家居生態(tài)系統(tǒng)的一部分，能夠與其他智能設備實現(xiàn)互聯(lián)互通，打造更加便捷、智能的生活環(huán)境，如與智能家電聯(lián)動，根據(jù)音樂氛圍自動調節(jié)家電設備狀態(tài)，通過與新興技術的融合，至盛 ACM 芯片不斷拓展應用場景，提升產(chǎn)品價值，迎來更廣闊的發(fā)展空間。ACM8623的架構能夠根據(jù)輸入信號的大小動態(tài)調整脈寬。

游戲玩家對音頻的實時性和沉浸感有較高的要求，ACM8629的低延遲和高音質輸出可以為游戲設備帶來更加逼真的游戲音效，增強游戲的趣味性。公共廣播系統(tǒng)需要具備***的覆蓋范圍和清晰的音頻播放能力，ACM8629的大功率輸出和穩(wěn)定的性能可以滿足公共廣播系統(tǒng)的需求，確保信息的準確傳達。在安防監(jiān)控領域，ACM8629可以用于監(jiān)控設備的音頻錄制和播放，提供高質量的音頻信號，為安防監(jiān)控提供更加***的信息。深圳市芯悅澄服科技有限公司專業(yè)一站式音頻開發(fā)設計。至盛12S數(shù)字功放芯片高階閉環(huán)調制架構使THD+N低至0.02%，音頻信號純凈度達到專業(yè)級標準。上海藍牙至盛ACM865現(xiàn)貨

至盛 ACM 芯片普遍應用于模擬功放，提升音頻輸出質量。韶關音響至盛ACM8623

ACM8815從電路和布局兩方面優(yōu)化EMC性能：電路級優(yōu)化：展頻技術（SSG）：DSP引擎生成偽隨機調制信號，對開關頻率進行±5%的抖動調制，將EMI峰值降低10dB以上。邊沿速率控制：通過調節(jié)GaNMOSFET柵極驅動電阻（典型值5Ω），將開關邊沿時間控制在10ns以內，避免過慢邊沿導致高頻諧波增多。共模濾波：在PVDD和GND之間并聯(lián)10μF+0.1μF陶瓷電容，濾除電源噪聲；在輸出端串聯(lián)10Ω電阻+100nF電容組成LC濾波器，抑制共模干擾。布局級優(yōu)化：關鍵信號隔離：將數(shù)字電路（DSP、I2S接口）與模擬電路（輸入緩沖、誤差放大器）分區(qū)布局，中間用地平面隔離。電源路徑優(yōu)化：PVDD和AVCC采用星形接地，避免地回路干擾；DVDD電源引腳附近放置10μF鉭電容和0.1μF陶瓷電容，形成低阻抗電源路徑。輸出走線控制：輸出差分對走線長度差<50mil，阻抗控制在50Ω±10%，減少反射干擾。實測在CISPR25標準下，ACM8815的EMI輻射強度比傳統(tǒng)方案低15dB，無需額外屏蔽即可通過汽車電子級EMC認證。韶關音響至盛ACM8623