棲霞區(qū)集成電路芯片智能系統(tǒng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-05

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片),每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后,組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望,是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的,并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類(lèi)似于 1951 年的 Tinkertoy 項(xiàng)目)。[8][9][10]然而,隨著項(xiàng)目勢(shì)頭越來(lái)越猛,基爾比提出了一個(gè)新的**性設(shè)計(jì): 集成電路。

1958年7月,德州儀器新雇傭的基爾比記錄了他關(guān)于集成電路的**初想法,并于1958年9月12日成功演示了***個(gè)可工作的集成示例。[11]1959年2月6日,在他的專(zhuān)利申請(qǐng)中,[12]Kilby將他的新設(shè)備描述為“一種半導(dǎo)體材料……其中所有電子電路的組件都是完全集成的?!盵13]這項(xiàng)新發(fā)明的***個(gè)客戶是美國(guó)空軍。[14]基爾比贏得了2000年的冠物理諾貝爾獎(jiǎng),為了表彰他在集成電路發(fā)明中的貢獻(xiàn)。[15]2009年,他的工作被命名為IEEE里程碑。 | 無(wú)錫微原電子科技,集成電路芯片技術(shù)的革新者。棲霞區(qū)集成電路芯片智能系統(tǒng)

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從20世紀(jì)30年代開(kāi)始,元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利(William Shockley)認(rèn)為是固態(tài)真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺,再到硅,原料在20世紀(jì)40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如:發(fā)光二極管、激光、太陽(yáng)能電池和比較高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無(wú)缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。

半導(dǎo)體集成電路工藝,包括以下步驟,并重復(fù)使用:光刻刻蝕薄膜(化學(xué)氣相沉積或物***相沉積)摻雜(熱擴(kuò)散或離子注入)化學(xué)機(jī)械平坦化CMP使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層,然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導(dǎo)線可分為鋁工藝(以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝(以電鍍?yōu)橹鲄⒁?jiàn)Damascene)。主要的工藝技術(shù)可以分為以下幾大類(lèi):黃光微影、刻蝕、擴(kuò)散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。 棲霞區(qū)集成電路芯片智能系統(tǒng)| 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),無(wú)錫微原電子科技的芯片技術(shù)。

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由電力驅(qū)動(dòng)的非常小的機(jī)械設(shè)備可以集成到芯片上,這種技術(shù)被稱(chēng)為微電子機(jī)械系統(tǒng)。這些設(shè)備是在 20 世紀(jì) 80 年代后期開(kāi)發(fā)的 并且用于各種商業(yè)和***應(yīng)用。例子包括 DLP 投影儀,噴碼機(jī),和被用于汽車(chē)的安全氣袋上的加速計(jì)和微機(jī)電陀螺儀.自 21 世紀(jì)初以來(lái),將光學(xué)功能(光學(xué)計(jì)算)集成到硅芯片中一直在學(xué)術(shù)研究和工業(yè)上積極進(jìn)行,使得將光學(xué)器件(調(diào)制器、檢測(cè)器、路由)與 CMOS 電子器件相結(jié)合的硅基集成光學(xué)收發(fā)器成功商業(yè)化。 集成光學(xué)電路也在開(kāi)發(fā)中,使用了新興的物理領(lǐng)域,即光子學(xué)。集成電路也正在為在醫(yī)療植入物或其他生物電子設(shè)備中的傳感器的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)。 在這種生物環(huán)境中必須應(yīng)用特殊的密封技術(shù),以避免暴露的半導(dǎo)體材料的腐蝕或生物降解。

有時(shí),專(zhuān)門(mén)加工的集成電路管芯被準(zhǔn)備用于直接連接到基板,而無(wú)需中間接頭或載體。在倒裝芯片系統(tǒng)中,IC通過(guò)焊料凸點(diǎn)連接到基板。在梁式引線技術(shù)中,傳統(tǒng)芯片中用于引線鍵合連接的金屬化焊盤(pán)被加厚和延伸,以允許外部連接到電路。使用“裸”芯片的組件有額外的包裝或填充環(huán)氧樹(shù)脂以保護(hù)設(shè)備免受潮氣。IC封裝在由具有高導(dǎo)熱性的絕緣材料制成的堅(jiān)固外殼中,電路的接觸端子(引腳)從IC主體伸出?;谝_配置,可以使用多種類(lèi)型的IC封裝。雙列直插封裝(DIP)、塑料四方扁平封裝(PQFP)和倒裝芯片球柵陣列(FCBGA)是封裝類(lèi)型的示例。| 無(wú)錫微原電子科技,為行業(yè)提供先進(jìn)芯片技術(shù)。

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因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門(mén)之間轉(zhuǎn)換,CMOS設(shè)備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多。透過(guò)電路的設(shè)計(jì),將多顆的晶體管管畫(huà)在硅晶圓上,就可以畫(huà)出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見(jiàn)類(lèi)型的集成電路,所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器,但即使是微處理器上也有存儲(chǔ)器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜-幾十年來(lái)芯片寬度一直減少-但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過(guò)程。雖然可見(jiàn)光譜中的光波不能用來(lái)曝光組件層,因?yàn)樗麄兲罅?。高頻光子(通常是紫外線)被用來(lái)創(chuàng)造每層的圖案。因?yàn)槊總€(gè)特征都非常小,對(duì)于一個(gè)正在調(diào)試制造過(guò)程的過(guò)程工程師來(lái)說(shuō),電子顯微鏡是必要工具。| 無(wú)錫微原電子科技,芯片技術(shù)助力智能時(shí)代。崇明區(qū)本地集成電路芯片

在當(dāng)?shù)氐姆?wù)口碑是很不錯(cuò)的。棲霞區(qū)集成電路芯片智能系統(tǒng)

**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝,這種封裝很多年來(lái)因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝,開(kāi)始是陶瓷,之后是塑料。20世紀(jì)80年代,VLSI電路的針腳超過(guò)了DIP封裝的應(yīng)用限制,***導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝在20世紀(jì)80年代初期出現(xiàn),該年代后期開(kāi)始流行。它使用更細(xì)的腳間距,引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)為例,比相等的DIP面積少30-50%,厚度少70%。這種封裝在兩個(gè)長(zhǎng)邊有海鷗翼型引腳突出,引腳間距為0.05英寸。棲霞區(qū)集成電路芯片智能系統(tǒng)

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