廣東遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS原理

對于GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體和MEMS傳感器等精密器件，傳統(tǒng)的等離子體工藝因其高能離子轟擊和熱效應(yīng)容易造成器件性能的不可逆損傷。RPS遠(yuǎn)程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域在此提供了低損傷、高精度的解決方案。在GaN HEMT器件的制造中，RPS可用于柵極凹槽的刻蝕預(yù)處理或刻蝕后殘留物的清理 ，其低離子能量特性確保了AlGaN勢壘層和二維電子氣（2DEG）不受損傷，從而維持了器件的高跨導(dǎo)和頻率特性。在MEMS制造中，關(guān)鍵的步驟是層的釋放，以形成可活動的微結(jié)構(gòu)。RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠使用氟基或氧基自由基，溫和且均勻地刻蝕掉結(jié)構(gòu)下方的氧化硅或聚合物層，避免了因“粘附效應(yīng)”（Stiction）導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)坍塌，極大地提升了MEMS陀螺儀、加速度計(jì)和麥克風(fēng)的良品率和可靠性。在微透鏡陣列制造中實(shí)現(xiàn)精確圖形化。廣東遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS原理

RPS遠(yuǎn)程等離子源采用獨(dú)特的空間分離設(shè)計(jì)，將等離子體激發(fā)區(qū)與工藝處理區(qū)物理隔離。在激發(fā)腔內(nèi)通過射頻電源將工藝氣體（如O2、CF4、N2等）電離形成高密度等離子體，而長壽命的活性自由基則通過輸運(yùn)系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)腔室。這種設(shè)計(jì)使得RPS遠(yuǎn)程等離子源能夠在不直接接觸工件的情況下，實(shí)現(xiàn)表面清洗、刻蝕和活化等工藝。在半導(dǎo)體前端制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源特別適用于柵極氧化前的晶圓清洗，能有效去除有機(jī)殘留和金屬污染物，同時避免柵氧層損傷。其自由基濃度可穩(wěn)定控制在1010-1012/cm3范圍，確保工藝重復(fù)性優(yōu)于±2%。河南pecvd腔室遠(yuǎn)程等離子源RPS廠家為半導(dǎo)體設(shè)備腔室提供高效在線清潔解決方案。

遠(yuǎn)程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術(shù)的duli式自由基發(fā)生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產(chǎn)生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠(yuǎn)程等離子體內(nèi)的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結(jié)構(gòu)，利用自由基的強(qiáng)氧化特性，達(dá)到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)具有先進(jìn)的HA或PEO涂層plasma block，先進(jìn)的功率自適應(yīng)模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時最大功率可達(dá)10kw。

顯示面板制造（如OLED或LCD）涉及多層薄膜沉積，腔室污染會直接影響像素均勻性和亮度。RPS遠(yuǎn)程等離子源通過非接觸式清洗，有效去除有機(jī)和無機(jī)殘留物，確保沉積工藝的重復(fù)性。其高均勻性特性特別適用于大尺寸基板處理，避免了邊緣與中心的清潔差異。同時，RPS遠(yuǎn)程等離子源的低熱負(fù)荷設(shè)計(jì)防止了對溫度敏感材料的損傷。在柔性顯示領(lǐng)域，該技術(shù)還能用于表面活化，提升涂層附著力。通過整合RPS遠(yuǎn)程等離子源，面板制造商能夠降低缺陷率，提高產(chǎn)品性能。為功率模塊封裝提供優(yōu)化的界面散熱處理方案。

隨著3D NAND堆疊層數(shù)突破500層，深孔刻蝕后的殘留物清洗成為技術(shù)瓶頸。RPS遠(yuǎn)程等離子源利用其優(yōu)異的自由基擴(kuò)散能力，可有效清理 深寬比超過60:1結(jié)構(gòu)底部的聚合物殘留。通過優(yōu)化遠(yuǎn)程等離子體參數(shù)，在保持刻蝕選擇比大于100:1的同時，將晶圓損傷深度控制在2nm以內(nèi)。某存儲芯片制造商在引入RPS遠(yuǎn)程等離子源后，將深孔清洗工序的良品率從87%提升至96%，單 wafer 處理成本降低30%。RPS遠(yuǎn)程等離子源在化合物半導(dǎo)體工藝中的優(yōu)勢在GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源展現(xiàn)出獨(dú)特價值。其低溫處理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的熱分解風(fēng)險。通過采用Cl2/BCl3混合氣體的遠(yuǎn)程等離子體刻蝕，實(shí)現(xiàn)了GaN材料的各向異性刻蝕，側(cè)壁垂直度達(dá)89±1°。在HEMT器件制造中，RPS遠(yuǎn)程等離子源將界面態(tài)密度控制在1010/cm2·eV量級，明顯 提升了器件跨導(dǎo)和截止頻率。在燃料電池制造中優(yōu)化電極界面。北京遠(yuǎn)程等離子電源RPS石英舟處理

晟鼎RPS腔體可以損耗監(jiān)測，實(shí)時檢測參數(shù)變動趨勢。廣東遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS原理

遠(yuǎn)程等離子體源（RPS）是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環(huán)境中進(jìn)行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。如在CVD等薄膜設(shè)備中，RPS與設(shè)備腔體連接，進(jìn)行分子級的清洗。在晶圓制造過程中，即使微米級的灰塵也會造成晶體管污染，導(dǎo)致晶圓廢片，因此RPS的清潔性能尤為重要。RPS不僅避免了傳統(tǒng)等離子體源直接接觸處理表面可能帶來的熱和化學(xué)損傷，還因其高度的集成性和靈活性，成為現(xiàn)代真空處理系統(tǒng)中不可或缺的一部分。廣東遠(yuǎn)程等離子源處理cvd腔室RPS原理