YuanStem 20多能干細(xì)胞培養(yǎng)基使用說(shuō)明書
YuanStem 20多能干細(xì)胞培養(yǎng)基
YuanStem 8多能干細(xì)胞培養(yǎng)基
當(dāng)轉(zhuǎn)染變成科研的吞金獸,你還要忍多久?
ProFect-3K轉(zhuǎn)染挑戰(zhàn)賽—更接近Lipo3k的轉(zhuǎn)染試劑
自免/代謝/**/ADC——體內(nèi)中和&阻斷抗體
進(jìn)口品質(zhì)國(guó)產(chǎn)價(jià),科研試劑新**
腫瘤免疫研究中可重復(fù)數(shù)據(jù)的“降本增效”方案
Tonbo流式明星產(chǎn)品 流式抗體新選擇—高性價(jià)比的一站式服務(wù)
如何選擇合適的in vivo anti-PD-1抗體
DDRx接口信號(hào)的時(shí)序關(guān)系
DDR3的時(shí)序要求大體上和DDR2類似,作為源同步系統(tǒng),主要有3組時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長(zhǎng)關(guān)系,也就是數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序;一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長(zhǎng)關(guān)系,也就是時(shí)鐘和地址控制總線的關(guān)系;一組是CLK和DQS的關(guān)系, 也就是時(shí)鐘和選通信號(hào)的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個(gè) 方向的時(shí)序關(guān)系。
要注意各組時(shí)序的嚴(yán)格程度是不一樣的,作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號(hào),需要非常嚴(yán)格的 等長(zhǎng)關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家,對(duì)DQ組的等長(zhǎng)關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi),在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時(shí),甚至?xí)笤凇?mil以內(nèi)。相對(duì)來(lái)說(shuō)地址控制和時(shí)鐘組的時(shí)序關(guān)系會(huì)相對(duì)寬松 一些,常見的可能有幾百mil。同時(shí)要留意DQS和CLK的關(guān)系,在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計(jì)里 是松散的時(shí)序關(guān)系,DDR3進(jìn)行Fly-by設(shè)計(jì)后更是降低了 DQS和CLK之間的時(shí)序控制要求。 如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測(cè)試?測(cè)量DDR3測(cè)試方案

在接下來(lái)的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號(hào)網(wǎng)絡(luò),為這些信號(hào)網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個(gè)或者多個(gè)網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項(xiàng),定義接口名稱為Data,
設(shè)置完成后,岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口,顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息,如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕,網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。
單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置:勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個(gè)選項(xiàng);設(shè)置走線耦合百分比為1%,上升時(shí)間為lOOps;選 擇對(duì)網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup);設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。 校準(zhǔn)DDR3測(cè)試規(guī)格尺寸DDR3一致性測(cè)試可以幫助識(shí)別哪些問(wèn)題?

那么在下面的仿真分析過(guò)程中,我們是不是可以就以這兩個(gè)圖中的時(shí)序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)呢?答案是否定的,因?yàn)殡m然這個(gè)時(shí)序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn),但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中,我們所使用的是Micron的產(chǎn)品,而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對(duì)Micron芯片的時(shí)序控制程度。所以雖然我們通過(guò)閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計(jì)要求,但是具體實(shí)現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。換句話說(shuō),DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn),而我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí),既然使用了Micron的產(chǎn)品,那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以,接下來(lái)的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片手冊(cè)和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊(cè)中,找到類似的DDR規(guī)范的設(shè)計(jì)要求和具體的設(shè)計(jì)參數(shù)。
高速DDRx總線概述
DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)的,嚴(yán)格地說(shuō)DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。
DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介
代DDR (通常稱為DDR1)接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過(guò)幾代的發(fā)展,現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布,甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響?

閉賦模型窗口,在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說(shuō)當(dāng)耦合線長(zhǎng)度超過(guò)lOOmil時(shí),按耦合模型提取,少于lOOmil時(shí),按單線模 型提取。
單擊Via modeling setup按鈕,在過(guò)孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。
單擊OK按鈕,關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單,選擇DDR1_CK這個(gè)網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))??梢钥吹揭?yàn)橐呀?jīng)設(shè)置好差分線和差分模型,所以會(huì)自動(dòng)帶出差分線DDRl_NCKo 是否可以在已通過(guò)一致性測(cè)試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭?河北DDR3測(cè)試檢查
DDR3一致性測(cè)試是否會(huì)提前壽命內(nèi)存模塊?測(cè)量DDR3測(cè)試方案
高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì)
首先簡(jiǎn)要介紹DDRx的發(fā)展歷程,通過(guò)幾代DDR的性能及信號(hào)完整性相關(guān)參數(shù)的 對(duì)比,使我們對(duì)DDRx總線有了比較所有的認(rèn)識(shí)。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平, 以及新一代DDR4使用的POD電平,這能幫助我們?cè)诮窈蟮脑O(shè)計(jì)中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關(guān)問(wèn)題。接下來(lái)回顧一下源同步時(shí)鐘系統(tǒng),并推導(dǎo)源同步時(shí)鐘系統(tǒng)的時(shí)序計(jì)算方法。 結(jié)果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過(guò)實(shí)例進(jìn)行DDRx的信號(hào)完整性仿真和時(shí)序 分析。 測(cè)量DDR3測(cè)試方案