安徽DDR3測(cè)試測(cè)試流程

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語(yǔ)講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題，在這里我們先不討論它，暫時(shí)認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 DDR3一致性測(cè)試期間如何設(shè)置測(cè)試環(huán)境？安徽DDR3測(cè)試測(cè)試流程

多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機(jī)、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲(chǔ)設(shè)備。由于相 對(duì)較低的每比特的成本提供了速度和存儲(chǔ)很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計(jì)算機(jī)產(chǎn)品 的主流存儲(chǔ)器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會(huì)）發(fā)布。隨著時(shí)鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來(lái)的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo)，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來(lái)越大。存 儲(chǔ)器子系統(tǒng)的信號(hào)完整性早已成為電子工程師重點(diǎn)考慮的棘手問(wèn)題。 安徽DDR3測(cè)試測(cè)試流程如何解決DDR3一致性測(cè)試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤？

DDR3信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題也會(huì)變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來(lái)改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào)，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動(dòng)能力的選擇等方面，可以通過(guò)仿真 來(lái)得到正確驅(qū)動(dòng)和端接，使DDR工作時(shí)信號(hào)質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時(shí)序裕量。

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見(jiàn)的時(shí)序要求：

初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開(kāi)啟并訪問(wèn)一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時(shí)間、行開(kāi)放時(shí)間和行訪問(wèn)時(shí)間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開(kāi)后需要等待的短時(shí)間以及行訪問(wèn)的持續(xù)時(shí)間。tWR：寫(xiě)入恢復(fù)時(shí)間，表示每次寫(xiě)操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長(zhǎng)時(shí)間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時(shí)鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時(shí)鐘信號(hào)的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時(shí)間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問(wèn)延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時(shí)序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時(shí)間需要刷新一次內(nèi)存行。 DDR3一致性測(cè)試是否對(duì)不同廠商的內(nèi)存模塊有效？

單擊Impedance Plot (expanded),展開(kāi)顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。

單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息，內(nèi) 容包括走線名稱(chēng)、走線長(zhǎng)度百分比、走線阻抗、走線長(zhǎng)度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí)，

單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱(chēng)，可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否會(huì)降低內(nèi)存模塊的壽命？數(shù)字信號(hào)DDR3測(cè)試商家

DDR3內(nèi)存有哪些常見(jiàn)的容量大??？安徽DDR3測(cè)試測(cè)試流程

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過(guò)單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣；信號(hào)走線都使用樹(shù)形拓?fù)?，沒(méi)有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào)，但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性；地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個(gè)間隔時(shí)鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半；信號(hào)走線也都使用樹(shù)形拓?fù)?，?shù)據(jù)和選通信號(hào)有ODT功能。 安徽DDR3測(cè)試測(cè)試流程