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在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)，為這些信號網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項(xiàng)，定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置：勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個選項(xiàng)；設(shè)置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup)；設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時間運(yùn)行？眼圖測試DDR3測試銷售電話

還可以給這個Bus設(shè)置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應(yīng)Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 江西DDR3測試銷售如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測試？

那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計呢?答案是否定的，因?yàn)殡m然這個時序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計要求，但是具體實(shí)現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊為準(zhǔn)。換句話說，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)，而我們設(shè)計系統(tǒng)時，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以，接下來的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊中，找到類似的DDR規(guī)范的設(shè)計要求和具體的設(shè)計參數(shù)。

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計建議，甚至參考設(shè)計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計，ReferenceDesign：對于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會提供一些參考設(shè)計，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

· IBIS 文件：這個對高速設(shè)計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會自動?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷Ｐ汀?DDR3一致性測試是否對不同廠商的內(nèi)存模塊有效？眼圖測試DDR3測試HDMI測試

DDR3一致性測試期間是否會影響計算機(jī)性能？眼圖測試DDR3測試銷售電話

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復(fù)時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數(shù)據(jù)傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長時間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內(nèi)存行。 眼圖測試DDR3測試銷售電話