晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨(dú)特的價(jià)值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

跨越施工前應(yīng)由技術(shù)負(fù)責(zé)人按線路施工圖中交叉跨越點(diǎn)斷面圖，對跨越點(diǎn)交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點(diǎn)的對地高度、下導(dǎo)線在交叉點(diǎn)的對地高度、導(dǎo)線邊線間寬度、地形情況進(jìn)行復(fù)測。根據(jù)復(fù)測結(jié)果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時(shí)，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機(jī)、CT掃描儀等設(shè)備...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個(gè)周期內(nèi)有三個(gè)二極管輪流導(dǎo)電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線簡單，但變壓器次級繞組的導(dǎo)電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢并產(chǎn)生較大的漏磁...

多脈沖整流是指在一個(gè)三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個(gè)周期內(nèi)多于6個(gè)波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

TCR的響應(yīng)迅速，典型的響應(yīng)時(shí)間為1．5～3個(gè)周期。實(shí)際的響應(yīng)時(shí)間是測量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強(qiáng)度的函數(shù)。如果對TCR采用電壓控制的正常運(yùn)行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補(bǔ)償器的硬電壓控制特性，它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對其的詳細(xì)介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計(jì)，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù)，...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時(shí)，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機(jī)、CT掃描儀等設(shè)備...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

隨著科技的不斷發(fā)展，晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓展。在建筑照明系統(tǒng)和家用電器中，晶閘管模塊也發(fā)揮著重要作用。通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時(shí)，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過程中，晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過程的自動(dòng)化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)...

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100...

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時(shí)，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結(jié)構(gòu)基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構(gòu)成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構(gòu)成變換器的兩個(gè)橋臂，高...

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很***；IGBT也是三端器...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...

5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制極觸發(fā)電壓和電流 在室溫下， 陽極電壓為直流 6v 時(shí)，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的**小控制極直流電壓、電流 ...

冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...