鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過(guò)程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn),其中如何優(yōu)化熱激勵(lì)方式與信號(hào)處理算法是問(wèn)題。熱激勵(lì)方式的合理性直接影響檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性,不同的被測(cè)物體需要不同的激勵(lì)參數(shù);而信號(hào)處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號(hào)中有效提取出有用信息。為此,研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新,通過(guò)改進(jìn)光源調(diào)制頻率,使其更適應(yīng)不同檢測(cè)場(chǎng)景,開發(fā)多頻融合算法,提高信號(hào)處理的效率和精度等方式,持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測(cè)速度與缺陷識(shí)別精度。未來(lái),隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步,鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升,其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展,為更多行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新。
本系統(tǒng)對(duì)鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,生成振幅熱圖和相位熱圖,并通過(guò)算法定位異常區(qū)域。廠家鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家電話
鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵(lì)結(jié)合,為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法,幫助企業(yè)快速定位失效原因,改進(jìn)生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣,可能是設(shè)計(jì)缺陷、材料問(wèn)題、制造過(guò)程中的污染,也可能是使用過(guò)程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測(cè)試等,不僅操作復(fù)雜、耗時(shí)較長(zhǎng),而且可能會(huì)破壞失效芯片的原始狀態(tài),難以準(zhǔn)確找到失效根源。通過(guò)對(duì)失效芯片施加特定的電激勵(lì),模擬其失效前的工作狀態(tài),鎖相熱成像系統(tǒng)能夠記錄芯片表面的溫度變化過(guò)程,并將其與正常芯片的溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析,從而找出失效位置和失效原因。例如,當(dāng)芯片因靜電損傷而失效時(shí),系統(tǒng)會(huì)檢測(cè)到芯片的輸入端存在異常的高溫區(qū)域;當(dāng)芯片因熱疲勞失效時(shí),會(huì)在芯片的焊接點(diǎn)處發(fā)現(xiàn)溫度分布不均的現(xiàn)象。基于這些分析結(jié)果,企業(yè)可以有針對(duì)性地改進(jìn)生產(chǎn)工藝,減少類似失效問(wèn)題的發(fā)生。非制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比系統(tǒng)的邏輯是通過(guò) “周期性激勵(lì) - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程,將內(nèi)部結(jié)構(gòu)差異轉(zhuǎn)化為熱圖像特征。
電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的柔性電子檢測(cè)中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,為柔性電子技術(shù)的發(fā)展提供了關(guān)鍵的質(zhì)量控制手段。柔性電子具有可彎曲、重量輕、便攜性好等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于柔性顯示屏、柔性傳感器、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。然而,柔性電子材料通常較薄且易變形,傳統(tǒng)的機(jī)械檢測(cè)或接觸式檢測(cè)方法容易對(duì)其造成損傷。電激勵(lì)方式在柔性電子檢測(cè)中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì),可采用低電流的周期性激勵(lì),避免對(duì)柔性材料造成破壞。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠通過(guò)檢測(cè)柔性電子內(nèi)部線路的溫度變化,識(shí)別出線路斷裂、層間剝離、電極脫落等缺陷。例如,在柔性顯示屏的檢測(cè)中,系統(tǒng)可以對(duì)顯示屏施加低電流電激勵(lì),通過(guò)分析溫度場(chǎng)分布,發(fā)現(xiàn)隱藏在柔性基底中的細(xì)微線路缺陷,確保顯示屏的顯示效果和使用壽命。這一技術(shù)的應(yīng)用,有效保障了柔性電子產(chǎn)品的質(zhì)量,推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)中柔性電子技術(shù)的快速發(fā)展。
性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK,意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動(dòng),相當(dāng)于能檢測(cè)到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識(shí)別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷;2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達(dá)到微米級(jí),可清晰呈現(xiàn)芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測(cè)器,卻通過(guò)算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃,在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過(guò)熱等檢測(cè)場(chǎng)景中,既能滿足精度需求,又具備更高的性價(jià)比。此外,設(shè)備的一體化設(shè)計(jì)將可見光、熱紅外、微光三大成像模塊集成,配合自動(dòng)化工作臺(tái)的精細(xì)控制,實(shí)現(xiàn)了 “一鍵切換檢測(cè)模式”“雙面觀測(cè)無(wú)死角” 等便捷操作,大幅降低了操作復(fù)雜度。鎖相熱紅外電激勵(lì)成像主動(dòng)加熱,適用于定量和深層缺陷檢測(cè),被動(dòng)式檢測(cè)物體自身溫度變化,用于定性檢測(cè)。
致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb(銦銻)探測(cè)器,用于中波紅外波段(3–5 μm)的熱輻射信號(hào)捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲,在制冷條件下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)nW級(jí)的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率,適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測(cè)器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用,提升了空間分辨率(可達(dá)微米量級(jí))與溫度響應(yīng)線性度,使其能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件、微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移和瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。配合致晟光電自主開發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺(tái),InSb探測(cè)器可在多物理場(chǎng)耦合背景下實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場(chǎng)成像,是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評(píng)價(jià)中的關(guān)鍵。紅外熱像儀捕獲這些溫度變化,通過(guò)鎖相技術(shù)提取微弱的有用信號(hào),提高檢測(cè)靈敏度。Thermal EMMI鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比
鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同,極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。廠家鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家電話
鎖相熱成像系統(tǒng)的維護(hù)保養(yǎng)是保證其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。系統(tǒng)的維護(hù)包括日常的清潔、部件的檢查和更換等。對(duì)于紅外熱像儀的鏡頭,需要定期用專門的清潔劑和鏡頭紙進(jìn)行清潔,避免灰塵和污漬影響成像質(zhì)量。鎖相放大器、激光器等關(guān)鍵部件要定期進(jìn)行性能檢查,確保其參數(shù)在正常范圍內(nèi)。如果發(fā)現(xiàn)部件出現(xiàn)老化或故障,要及時(shí)進(jìn)行更換,以避免影響系統(tǒng)的檢測(cè)精度。此外,系統(tǒng)的冷卻系統(tǒng)也需要定期維護(hù),確保其能夠正常工作,防止因設(shè)備過(guò)熱而影響性能。做好維護(hù)保養(yǎng)工作,能夠延長(zhǎng)鎖相熱成像系統(tǒng)的使用壽命,降低設(shè)備故障的發(fā)生率,保證檢測(cè)工作的順利進(jìn)行。廠家鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家電話