奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-01

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨

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⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

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可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類(lèi)型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱(chēng)作雙向晶閘管。

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?,故除門(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱(chēng)為主端子,用T1、T2表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),T2是陽(yáng)極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),T1變成陽(yáng)極,T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱(chēng)性,所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)?,此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

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5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。可控硅有多種分類(lèi)方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián).再將控制板與本觸發(fā)電路連接,就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周?chē)?gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管廠家現(xiàn)貨

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