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MOS管的柵極回路布線對(duì)電路穩(wěn)定性的影響常被忽視。在安防監(jiān)控的硬盤錄像機(jī)中，主板上的布線密集，柵極驅(qū)動(dòng)線很容易受到其他信號(hào)線的干擾，導(dǎo)致MOS管出現(xiàn)不規(guī)則的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師會(huì)將柵極驅(qū)動(dòng)線單獨(dú)走一層，并且遠(yuǎn)離高頻信號(hào)線和大電流電源線，減少電磁耦合。如果空間有限，還會(huì)在驅(qū)動(dòng)線上套磁環(huán)，進(jìn)一步抑制干擾信號(hào)。實(shí)際測(cè)試中，用頻譜分析儀觀察柵極電壓的頻譜，能清晰看到是否存在異常的干擾頻率，從而有針對(duì)性地優(yōu)化布線。?MOS管的導(dǎo)通壓降小，在低壓電路里能量損耗特別低。mos管 pd

MOS管的抗ESD（靜電放電）能力在消費(fèi)電子產(chǎn)品中至關(guān)重要。智能手機(jī)、平板電腦在生產(chǎn)和使用過(guò)程中，難免會(huì)遇到靜電放電，MOS管如果抗ESD能力不足，很容易被擊穿損壞。這就要求MOS管通過(guò)至少8kV的接觸放電測(cè)試和15kV的空氣放電測(cè)試，達(dá)到IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的等級(jí)。內(nèi)部集成ESD保護(hù)二極管的MOS管更受歡迎，能在靜電到來(lái)時(shí)快速導(dǎo)通，將電荷釋放到地。生產(chǎn)車間會(huì)采取防靜電措施，如防靜電工作臺(tái)、接地手環(huán)等，但MOS管自身的抗ESD能力仍是保障產(chǎn)品可靠性的一道防線。國(guó)產(chǎn)mos管廠家MOS管在安防攝像頭電源里，能適應(yīng)寬電壓輸入很實(shí)用。

MOS管的并聯(lián)均流技術(shù)在大功率電源系統(tǒng)中應(yīng)用。在數(shù)據(jù)中心的備用電源中，單臺(tái)電源的功率可能達(dá)到數(shù)千瓦，需要多顆MOS管并聯(lián)來(lái)分擔(dān)電流。但簡(jiǎn)單的并聯(lián)會(huì)導(dǎo)致電流分配不均，這時(shí)候會(huì)采用均流電阻或均流電感，強(qiáng)制使各MOS管的電流趨于一致。更先進(jìn)的方案是采用有源均流技術(shù)，通過(guò)檢測(cè)每顆MOS管的電流，動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極電壓，實(shí)現(xiàn)精確均流。設(shè)計(jì)時(shí)，還要注意各MOS管的布局對(duì)稱，確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)和散熱條件一致，從硬件上減少電流不均的可能性。調(diào)試時(shí)，用電流探頭測(cè)量每顆MOS管的電流波形，確保偏差不超過(guò)5%。?

MOS管在電動(dòng)工具的無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，需要承受頻繁的正反轉(zhuǎn)切換。電鉆、角磨機(jī)等工具在使用時(shí)，正反轉(zhuǎn)切換非常頻繁，每次切換都會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生電流沖擊。這就要求MOS管的反向耐壓足夠高，能承受電機(jī)反轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的反向電壓，同時(shí)開(kāi)關(guān)速度要快，避免切換過(guò)程中出現(xiàn)上下管同時(shí)導(dǎo)通的情況。驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)加入死區(qū)控制，確保在切換瞬間有短暫的截止時(shí)間，保護(hù)MOS管。實(shí)際測(cè)試中，會(huì)模擬數(shù)千次的正反轉(zhuǎn)切換，觀察MOS管的參數(shù)變化，只有經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試的型號(hào)才能用于電動(dòng)工具。?MOS管存儲(chǔ)時(shí)要注意防靜電，放在防靜電包裝里。

MOS管的封裝引腳布局影響PCB設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。在高頻電路中，引腳之間的寄生電感和電容會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生很大干擾，比如TO-263封裝的MOS管，漏極和源極引腳之間的距離較近，寄生電容相對(duì)較大，在兆赫茲級(jí)別的開(kāi)關(guān)電路中可能會(huì)出現(xiàn)額外的損耗。而DFN封裝的MOS管由于沒(méi)有引線引腳，寄生參數(shù)更小，非常適合高頻應(yīng)用，不過(guò)這種封裝的焊接難度較大，需要精確控制回流焊的溫度曲線。工程師在布局時(shí)，通常會(huì)把MOS管盡量靠近負(fù)載，減少大電流路徑的長(zhǎng)度，降低線路損耗。?MOS管的閾值電壓是關(guān)鍵參數(shù)，低于這個(gè)值就沒(méi)法導(dǎo)通。mos管 pd

MOS管在電焊機(jī)的控制板上，能調(diào)節(jié)輸出電流大小。mos管 pd

MOS管的封裝寄生電感在高壓大功率電路中會(huì)引發(fā)電壓尖峰。在風(fēng)力發(fā)電的變流器中，電壓等級(jí)達(dá)到690V，MOS管開(kāi)關(guān)瞬間，寄生電感和電流變化率的乘積會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓，可能超過(guò)器件的耐壓值。為了抑制尖峰，工程師會(huì)在MOS管兩端并聯(lián)RC吸收電路，利用電容吸收電感儲(chǔ)存的能量。選擇吸收電容時(shí)，要注意其高頻特性，普通電解電容在高頻下效果不佳，通常會(huì)選用陶瓷電容或薄膜電容。布線時(shí)，盡量縮短MOS管到吸收電路的距離，減少額外的寄生電感，否則吸收效果會(huì)大打折扣。?mos管 pd