mos管和光耦

MOS管的封裝熱阻參數(shù)是散熱設(shè)計(jì)的重要參考。在大功率LED路燈中，單顆LED的功率可達(dá)幾十瓦，多路LED并聯(lián)時(shí)，總功率會(huì)超過百瓦，這時(shí)候MOS管的散熱就成了難題。封裝熱阻小的MOS管，熱量能更快地從芯片傳導(dǎo)到外殼，再通過散熱片散發(fā)到空氣中。計(jì)算散熱片尺寸時(shí)，需要根據(jù)MOS管的功耗和熱阻，結(jié)合環(huán)境溫度，算出所需的散熱面積。實(shí)際安裝時(shí)，會(huì)在MOS管和散熱片之間涂抹導(dǎo)熱硅脂，減少接觸熱阻。維護(hù)人員定期清理散熱片上的灰塵，也是保證MOS管散熱良好的重要措施，否則灰塵堆積會(huì)導(dǎo)致熱阻上升，影響散熱效果。MOS管的漏極電流要留足余量，避免滿負(fù)荷運(yùn)行出問題。mos管和光耦

MOS管的開關(guān)損耗在微波烤箱的磁控管驅(qū)動(dòng)電路中占比很大。磁控管工作在2.45GHz的頻率，驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)頻率雖然只有幾十千赫茲，但每次開關(guān)的電壓和電流都很大，開關(guān)損耗不容忽視。這就要求MOS管的柵極電荷盡可能小，減少驅(qū)動(dòng)損耗，同時(shí)開關(guān)時(shí)間要短，降低過渡過程中的能量損失。實(shí)際測(cè)試中，通過測(cè)量MOS管兩端的電壓和電流波形，計(jì)算出每次開關(guān)的損耗能量，再乘以開關(guān)頻率，就能得到總開關(guān)損耗。工程師會(huì)根據(jù)這個(gè)數(shù)據(jù)來優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，確保磁控管在連續(xù)工作時(shí)MOS管的溫度不會(huì)過高。?mos管和光耦MOS管存儲(chǔ)時(shí)要注意防靜電，放在防靜電包裝里。

MOS管的柵極氧化層可靠性是長(zhǎng)壽命設(shè)備的關(guān)鍵。在核電站的儀表控制電路中，設(shè)備的設(shè)計(jì)壽命長(zhǎng)達(dá)40年，MOS管的柵極氧化層必須能長(zhǎng)期耐受工作電壓而不發(fā)生擊穿。這就需要選用氧化層厚度較大的型號(hào)，雖然會(huì)增加導(dǎo)通閾值電壓，但能顯著提高可靠性。同時(shí)，輻射環(huán)境會(huì)加速氧化層老化，選用抗輻射加固的MOS管，通過特殊的工藝處理減少氧化層中的缺陷。定期維護(hù)時(shí)，會(huì)測(cè)量MOS管的柵極漏電流，一旦發(fā)現(xiàn)異常增大，說明氧化層可能出現(xiàn)損壞，需要及時(shí)更換，避免影響核安全。?

MOS管的開關(guān)速度是高頻電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵指標(biāo)。在5G基站的電源模塊里，開關(guān)頻率動(dòng)輒上百千赫茲，這就要求MOS管的反向恢復(fù)時(shí)間足夠短，否則很容易出現(xiàn)反向?qū)ǖ那闆r，造成能量浪費(fèi)。柵極驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)定性也會(huì)影響開關(guān)速度，電壓波動(dòng)過大會(huì)導(dǎo)致開關(guān)過程中出現(xiàn)震蕩，不僅產(chǎn)生電磁干擾，還可能擊穿器件。經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師會(huì)在柵極串聯(lián)一個(gè)小電阻，用來抑制這種震蕩，具體數(shù)值得根據(jù)柵極電容的大小來調(diào)整。MOS管的耐壓值選擇需要留足安全余量。在光伏逆變器這類高壓應(yīng)用中，輸入電壓可能存在瞬時(shí)尖峰，這時(shí)候MOS管的耐壓值至少要比最大工作電壓高出30%以上。比如工作在600V的電路里，通常會(huì)選用800V甚至1000V的MOS管，就是為了應(yīng)對(duì)雷擊或者電網(wǎng)波動(dòng)帶來的過壓沖擊。此外，耐壓值還和結(jié)溫有關(guān)，高溫環(huán)境下器件的耐壓能力會(huì)下降，這一點(diǎn)在密封式設(shè)備中尤其需要注意。MOS管選型時(shí)得看耐壓值，不然容易在高壓環(huán)境下?lián)p壞。

MOS管在智能電表的計(jì)量電路中，需要具備極低的功耗和極高的穩(wěn)定性。智能電表長(zhǎng)期處于工作狀態(tài)，功耗每增加1毫瓦，一年的額外電費(fèi)就會(huì)增加不少。這就要求MOS管在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流控制在微安級(jí)別，導(dǎo)通時(shí)的電阻也要盡可能小。計(jì)量精度方面，MOS管的導(dǎo)通電阻隨溫度的變化率要低，否則環(huán)境溫度變化會(huì)導(dǎo)致計(jì)量誤差。為了保證長(zhǎng)期穩(wěn)定，智能電表會(huì)選用工業(yè)級(jí)MOS管，經(jīng)過-40℃到85℃的寬溫測(cè)試，確保在各種環(huán)境下都能正常工作。出廠前，每塊電表都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的計(jì)量校準(zhǔn)，其中MOS管的參數(shù)一致性是校準(zhǔn)的重要依據(jù)。?MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中，能控制電流穩(wěn)定輸出。mos管和光耦

MOS管在筆記本電腦電源里，體積小效率高很合適。mos管和光耦

MOS管的柵極回路布線對(duì)電路穩(wěn)定性的影響常被忽視。在安防監(jiān)控的硬盤錄像機(jī)中，主板上的布線密集，柵極驅(qū)動(dòng)線很容易受到其他信號(hào)線的干擾，導(dǎo)致MOS管出現(xiàn)不規(guī)則的開關(guān)動(dòng)作。經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師會(huì)將柵極驅(qū)動(dòng)線單獨(dú)走一層，并且遠(yuǎn)離高頻信號(hào)線和大電流電源線，減少電磁耦合。如果空間有限，還會(huì)在驅(qū)動(dòng)線上套磁環(huán)，進(jìn)一步抑制干擾信號(hào)。實(shí)際測(cè)試中，用頻譜分析儀觀察柵極電壓的頻譜，能清晰看到是否存在異常的干擾頻率，從而有針對(duì)性地優(yōu)化布線。?mos管和光耦