YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基使用說明書
YuanStem 20多能干細胞培養(yǎng)基
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驅(qū)動電路(Drive Circuit),位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管),稱為驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用:將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率晶體管—開關(guān)功率放大作用?;救蝿?wù)驅(qū)動電路的基本任務(wù),就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號,對全控型器件則既要提供開通控制信號,又要提供關(guān)斷控制信號,以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。浮動接地驅(qū)動:功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動,典型的為自舉驅(qū)動電路。寶山區(qū)推廣驅(qū)動電路售價

有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路銷售廠電機控制:驅(qū)動電路可以用來控制各種類型的電機,例如步進電機、直流電機、交流電機等。

?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實現(xiàn)了對電子設(shè)備的精確控制。

IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如,常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如,常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:驅(qū)動集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用,許多驅(qū)動芯片自帶保護和隔離功能。青浦區(qū)本地驅(qū)動電路服務(wù)熱線
效率:選擇合適的元件以提高電路的效率,減少功耗。寶山區(qū)推廣驅(qū)動電路售價
文中設(shè)計的電路利用RC充放電電路來實現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時,維持電流補償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時,維持電流補償電路關(guān)斷,維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器,其**小導(dǎo)通角約為30°。寶山區(qū)推廣驅(qū)動電路售價
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