功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...

變壓器生產的ZSS、ZS系列整流變壓器用作整流裝置的電源變壓器，其作用是向整流器提供交流電源，整流器再將交流電變換為直流電，從而進行直流供電。主要應用于冶金、化工、機車牽引與傳動等行業(yè)。產品節(jié)能、低損耗、低噪聲、抗沖擊和抗短路能力強。過載能力強、結構緊湊、體積...

（2）動穩(wěn)定程度高：產品繞組有較高的機械強度，具有較強的抗突發(fā)能力，以滿足極惡劣的負載環(huán)境。在設計、制造過程中較好地消除了變壓器漏磁引起的或非正常運輸可能造成的動不穩(wěn)定源。產品具有較高的動穩(wěn)定性。高抗阻，比同容量的電力變壓器的阻抗高30%，以抑制di/dt，有...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍...

晶閘管特性單向晶閘管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產品抗短路能力，提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應用領域很***；IGBT也是三端器...

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...

Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來...

對稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關系，它們相互之間互不干擾；不對稱式結構是整流橋在工作時整流橋相互之間是主從關系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會相互影響。但對稱式結構增加了平衡電抗器。 [...

控制方式：通過控制觸發(fā)信號的時機，可以調節(jié)輸出電壓和電流。應用領域：整流電路：用于將交流電轉換為直流電。調速控制：在電動機控制中，調節(jié)電機的速度。功率控制：用于燈光調光、加熱器控制等。逆變器：在太陽能和風能系統(tǒng)中，將直流電轉換為交流電。工作原理：晶閘管的工作原...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件...

其特點是：超前橋臂實現(xiàn)零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現(xiàn)零電流關斷，開關管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

晶閘管特性單向晶閘管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用...

變壓器生產的ZSS、ZS系列整流變壓器用作整流裝置的電源變壓器，其作用是向整流器提供交流電源，整流器再將交流電變換為直流電，從而進行直流供電。主要應用于冶金、化工、機車牽引與傳動等行業(yè)。產品節(jié)能、低損耗、低噪聲、抗沖擊和抗短路能力強。過載能力強、結構緊湊、體積...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯(lián)...

正向阻斷當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現(xiàn)象會使集電極與發(fā)...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

1、“給定”電位器旋鈕逆時針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機”位置，此時無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉換。4、調節(jié)電流作為調節(jié)板上的偏置電壓，...

可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網(wǎng)輸入電壓幅值相位相同，直接供...

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導調制效應，所以IGBT...

TCR在正常運行時會產生大量的特征諧波注入電網(wǎng)，因此必須采取措施將這些諧波消除或減弱。通常的辦法是并聯(lián)濾波器，并聯(lián)濾波器要么是串聯(lián)Lc結構，要么是串聯(lián)LCR結構。這些濾波器被調諧到5次和7次的主導諧波頻率，有時，也使用11次和13次濾波器或者只使用一個高通濾波...

導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分），其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件?；膽迷诠荏w的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。當正柵偏...

另一方面，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術，這使得“成本—性能”...

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET...

Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來...