SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價(jià)值SiC材料之所以在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)高度關(guān)注，源于其與生俱來的比較好物理屬性：超寬禁帶寬度（~3.3eV）：...
應(yīng)用方案支持：公司不僅提供器件，更注重理解客戶需求，針對(duì)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等具體應(yīng)用場(chǎng)景，提供相應(yīng)的技術(shù)參考設(shè)計(jì)和應(yīng)用支持，幫助客...
低壓MOS管：結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理MOSFET的中心結(jié)構(gòu)由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構(gòu)成。其...
當(dāng)前面臨的中心挑戰(zhàn)：硅基材料的物理極限： 硅材料的特性限制了器件性能的進(jìn)一步提升空間，特別是在超高壓、超高頻、超高溫應(yīng)用領(lǐng)域。損耗平衡的持續(xù)...
東海半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)前沿的功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，專注于先進(jìn)功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝制造和應(yīng)用研究，為客戶提供IGBT單管/模塊、中低壓MOS、高壓MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模塊、GaN、IPM等功率器件產(chǎn)品解決方案。東海半導(dǎo)體成立于2004年，總部位于無錫；公司致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性價(jià)比功率器件產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)控制、逆變焊機(jī)、電源、電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域。
