甘肅DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來(lái)設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來(lái)的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個(gè)器件模型賦置給U100器件。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于超頻內(nèi)存模塊？甘肅DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹

DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來(lái)表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試故障DDR3一致性測(cè)試是否可以檢測(cè)出硬件故障？

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。

開(kāi)始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆](méi)有多個(gè)Rank, 所以本例將把地址命令信號(hào)和控制信號(hào)合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個(gè)Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號(hào)，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對(duì)應(yīng)Strobe信號(hào)），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過(guò)單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣；信號(hào)走線都使用樹(shù)形拓?fù)洌瑳](méi)有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào)，但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性；地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個(gè)間隔時(shí)鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半；信號(hào)走線也都使用樹(shù)形拓?fù)洌瑪?shù)據(jù)和選通信號(hào)有ODT功能。 為什么要進(jìn)行DDR3一致性測(cè)試？

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過(guò)前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時(shí)很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試可以修復(fù)一致性問(wèn)題嗎？山西DDR3測(cè)試參考價(jià)格

DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試包括哪些內(nèi)容？甘肅DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹

使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書第5章介紹串 行通道分析模塊。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號(hào)質(zhì)量、信號(hào)延時(shí)測(cè)量功能和詳盡的時(shí)序分析能力，并配以完整的測(cè)量分析報(bào) 告供閱讀和存檔。下面我們結(jié)合一個(gè)具體的DDR3仿真實(shí)例，介紹SystemSI的仿真和時(shí)序分 析方法。本實(shí)例中的關(guān)鍵器件包括CPU、4個(gè)DDR3 SDRAM芯片和電源模塊， 甘肅DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹